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基于阻变存储器的仿真模型设计

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阐述RRAM模型的开关方法和电流电压关系,探讨物理电热仿真模型、斯坦福模型、黄的物理模型的仿真模型的搭建原理,RRAM的仿真分析.
Design of Simulation Model Based on Resistive Variable Memory
This paper describes the switching methods and current and voltage relationship of various popular RRAM models,and the building principles of physical electrothermal simulation model,Stanford model,Huang's physical model and other simulation models,and RRAM modeling simulation.

resistive random access memoryoxygen vacancyelectrothermal simulationSPICEfinite element method

万新宇

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湖北大学,湖北 430062

阻变存储器 氧空位电热 模拟与仿真 SPICE 有限元法

2024

集成电路应用
上海贝岭股份有限公司

集成电路应用

影响因子:0.132
ISSN:1674-2583
年,卷(期):2024.41(1)
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