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一种32MHz低温漂高精度张弛型振荡器的设计

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阐述基于0.18μm CMOS工艺设计的一种低温漂张弛型振荡器.该张弛型振荡器在使用平均周期反馈控制的基础上采用金属薄膜电阻和金属-绝缘体-金属电容作为振荡单元,可以实现温度从-40~125℃变化时1%的频率漂移.
Design of a 32MHz Low Temperature Drift High Precision Relaxation Oscillator
This paper describes a low-temperature drift relaxation oscillator designed based on 0.18μm CMOS technology.This relaxation type oscillator uses a metal thin film resistor and a metal insulator metal capacitor as oscillation units based on average period feedback control,and can achieve a frequency drift of 1%when the temperature changes from-40 to 125℃.

relaxation oscillatorhigh precisionlow temperature driftmetal thin film resistor

梁国辉

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上海贝岭股份有限公司,上海 200233

张弛型振荡器 高精度 低温漂 金属薄膜电阻

2024

集成电路应用
上海贝岭股份有限公司

集成电路应用

影响因子:0.132
ISSN:1674-2583
年,卷(期):2024.41(6)