首页|MOSFET瞬态脉冲热阻的测量及其变化规律研究

MOSFET瞬态脉冲热阻的测量及其变化规律研究

扫码查看
原文链接
  • 国家科技期刊平台
  • NETL
  • NSTL
  • 万方数据
  • 维普
半导体器件正不断朝高功率、高电压、大电流方向发展,随之而来的是高功率带来的发热和散热难题.现以MOSFET作为研究对象,对瞬态热阻进行测量与分析,研究MOSFET瞬态热阻在不同栅极电压下的变化规律.实验结果表明,MOSFET瞬态热阻随栅极电压VGS绝对值的增大而减小,但对于不同的器件,热阻减小的幅度不同.通过分析得到引起上述现象的原因在于,当栅极电压变化时,沟道和漂移区的物理尺寸发生变化,从而对热流的扩散长度产生影响,改变了通道的导通电阻分布,并且导电通道内的峰值温度点会发生变化.

刘超群

展开 >

合肥工业大学,安徽合肥230009

MOSFET 瞬态脉冲热阻 栅极电压 瞬态双界面法

2022

10.19514/j.cnki.cn32-1628/tm.2022.13.001

机电信息
江苏《机电信息》杂志社有限公司

机电信息

影响因子：0.453
ISSN：1671-0797
年,卷(期)：2022.(13)
  • 1