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锑化铟晶体空位缺陷的正电子湮灭研究
Positron annihilation study of vacancy defects in indium antimonide crystals
赵超 1董涛 1折伟林 1彭志强 1贺利军 1张孟川1
作者信息
- 1. 中国电子科技集团公司第十一研究所,北京 100015
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摘要
锑化铟晶体材料的电学性能是影响最终制备的红外探测器件性能的关键因素.材料内部的杂质以及点缺陷特别是空位缺陷会极大的影响材料的电学性能,有时甚至会导致材料反型.本文利用正电子湮灭谱对锑化铟晶体材料的空位缺陷类型进行了研究,同时还对不同晶体生长拉速、导电类型晶体材料的正电子湮灭寿命进行分析.结果表明其内部主要为VIn型空位缺陷,且在一定拉速范围内,正电子湮灭寿命基本无变化,此外空位缺陷也不是导致N型锑化铟晶体材料导电类型反型的主要原因.
关键词
锑化铟/红外探测器/正电子湮灭谱/空位缺陷/晶体生长拉速/导电类型Key words
indium antimonide/infrared detector/positron annihilation spectroscopy/vacancy defects/crystal growth pull rates/conductive types引用本文复制引用
出版年
2024