锑化铟晶体空位缺陷的正电子湮灭研究

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中文摘要：锑化铟晶体材料的电学性能是影响最终制备的红外探测器件性能的关键因素.材料内部的杂质以及点缺陷特别是空位缺陷会极大的影响材料的电学性能,有时甚至会导致材料反型.本文利用正电子湮灭谱对锑化铟晶体材料的空位缺陷类型进行了研究,同时还对不同晶体生长拉速、导电类型晶体材料的正电子湮灭寿命进行分析.结果表明其内部主要为VIn型空位缺陷,且在一定拉速范围内,正电子湮灭寿命基本无变化,此外空位缺陷也不是导致N型锑化铟晶体材料导电类型反型的主要原因.

外文标题：Positron annihilation study of vacancy defects in indium antimonide crystals

外文关键词：

indium antimonideinfrared detectorpositron annihilation spectroscopyvacancy defectscrystal growth pull ratesconductive types

作者：

赵超、董涛、折伟林、彭志强、贺利军、张孟川

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作者单位：

中国电子科技集团公司第十一研究所,北京 100015

关键词：

锑化铟红外探测器正电子湮灭谱空位缺陷晶体生长拉速导电类型

出版年：

2024

DOI：

10.3969/j.issn.1001-5078.2024.01.010

激光与红外

华北光电技术研究所

激光与红外

CSTPCD北大核心

影响因子：0.723

ISSN：1001-5078

年,卷(期)：2024.54(1)

参考文献量24