一种低阈值抗辐照对管MOSFET器件设计及工艺研究

扫码查看

原文链接

NETL
NSTL
万方数据
维普

中文摘要：本文针对一种对管MOSFET产品6A/20V、-4.4A/-20V进行研究.产品具有低压、低阈值、低导通电阻,且具有抗单粒子37Mev/(mg/cm2)、抗电离总剂量100Krad(Si)要求特性,对产品进行了方案设计,以及关键设计技术和关键工艺技术分析,同时利用二维仿真软件ISE-TCAD对器件的电学特性进行了仿真模拟,产品经过最终流片、封装测试,技术参数达到了国外对应型号FDW2520C的技术特性指标,开关特性还优于FDW2520C,可以替代国外同类型号产品.

作者：

单长玲、习毓、丁文华

展开 >

作者单位：

西安卫光科技有限公司,陕西西安,710065

关键词：

MOSFET 器件仿真工艺技术抗辐照自对准工艺

出版年：

2022

DOI：

10.3969/j.issn.1000-6133.2022.04.005

机电元件

国营第七九六厂（四川华丰企业集团有限公司）

机电元件

影响因子：0.123

ISSN：1000-6133

年,卷(期)：2022.42(4)

参考文献量2