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一种高介质耐电压的光MOS继电器的设计

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本文介绍了一种高介质耐电压的陶瓷密封光MOS固体继电器的设计技术,着重阐述了一种介质耐电压为4000Vr.m.s的陶瓷密封光MOS固体继电器设计方案,对我国高介质耐电压陶瓷密封型光MOS固体继电器相关方面具有一定的指导意义.

张国明、刘亚锋、杨姣、谢建军

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陕西群力电工有限责任公司,陕西宝鸡,721300

高介质耐电压 陶瓷密封 光MOS固体继电器

2024

10.3969/j.issn.1000-6133.2024.04.006

机电元件
国营第七九六厂（四川华丰企业集团有限公司）

机电元件

影响因子：0.123
ISSN：1000-6133
年,卷(期)：2024.44(4)