经济技术协作信息2009，Issue(12) ：155.

基于浅槽隔离的双轴应变硅CMOS制造工艺研究

何凯杰
经济技术协作信息2009，Issue(12) ：155.
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基于浅槽隔离的双轴应变硅CMOS制造工艺研究

何凯杰1
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  • 1. 杭州师范大学,应用物理学,应物051
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摘要

应变硅材料、结构、器件是探索后硅CMOS时代新型超高速低功耗集成电路最有发展前景的技术之一,本文对基于浅槽隔离的手段的双轴应变硅材料CMOS器件制作工艺进行了分析和探讨.

关键词

应变硅材料/浅槽隔离/CMOS器件/制作工艺

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出版年

2009
经济技术协作信息

经济技术协作信息

CHSSCD
ISSN：1007-9823
参考文献量2
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