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考虑功率循环的IGBT可靠性分析
考虑功率循环的IGBT可靠性分析
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中文摘要:
绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)在新能源汽车、新能源发电、电能传输等领域中得到了广泛应用,IGBT作为电力电子变换装置中的核心器件,其可靠性直接决定了整个系统的脆弱程度.因此如何计算出IGBT的寿命和可靠性对于研究整个电力电子系统的可靠性起关键性的作用.论文基于IGBT的物理失效模型,分析负载功率波动对IGBT可靠性的影响,提出了IGBT的可靠性分析流程.最后以1kW逆变器为例计算IGBT的B10寿命和可靠性,论文从理论分析、仿真验证了所提出方法的可行性.
外文标题:
Reliability Analysis of IGBT Considering Power Cycling
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作者:
曾定军、崔乃东、刘威、邓欢
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作者单位:
中国船舶重工集团公司第709研究所 武汉 430205
关键词:
IGBT
功率循环
寿命
可靠性
出版年:
2021
DOI:
10.3969/j.issn.1672-9722.2021.04.009
计算机与数字工程
中国船舶重工集团公司第七0九研究所
计算机与数字工程
CSTPCD
影响因子:
0.355
ISSN:
1672-9722
年,卷(期):
2021.
49
(4)
被引量
1
参考文献量
2