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单源化学气相沉积法制备In2O3纳米线

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以乙酰丙酮合铟[In(acac)3](acac=acetylacetonate)作为单源前驱体,Au为催化剂,采用化学气相沉积法,于较低温度(550 ℃)下成功制得了In2O3纳米线.用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和能量分散光谱(EDS)对In2O3纳米线进行了表征;制得的In2O3纳米线具有单晶结构,平均直径约为80 nm,长度达十几微米,其生长服从气-液-固机理.光致发光研究发现,In2O3 纳米线在483 nm处有一个强的发射峰,这可归因于氧空位的存在.
Preparation of In2O3 nanowires by single-source chemical vapor deposition method

沈小平、赵慧、武世奎

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江苏大学,化学化工学院,江苏,镇江212013

纳米线 In2O3 化学气相沉积 制备

江苏大学校科研和教改项目江苏大学微米纳米中心开放基金

05JDG043

2007

江苏大学学报(自然科学版)
江苏大学

江苏大学学报(自然科学版)

CSTPCD
影响因子：0.801
ISSN：1671-7775
年,卷(期)：2007.28(3)
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