金属世界2025，Issue(1) ：13-24.DOI:10.3969/j.issn.1000-6826.2024.09.1001

Si基InGaN可见光器件研究进展

Research Progress of InGaN Visible Light Devices on Si Substrate

刘力玮 肖嘉滢 文灿 周楚翘 曹怡诺 林正梁 李彤彤 闫梓欣 王文樑
金属世界2025，Issue(1) ：13-24.DOI:10.3969/j.issn.1000-6826.2024.09.1001
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Si基InGaN可见光器件研究进展

Research Progress of InGaN Visible Light Devices on Si Substrate

刘力玮 1肖嘉滢 1文灿 1周楚翘 1曹怡诺 1林正梁 1李彤彤 1闫梓欣 1王文樑1
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作者信息

  • 1. 华南理工大学材料科学与工程学院,广东 广州 510641
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摘要

Si基InGaN材料因其高电子迁移率,高抗辐射,带隙可调等光电特性,在可见光通信领域展现出良好的潜力.但其发展依旧面临着材料位错密度高、器件性能差及集成度低等问题.为了解决上述问题,研究人员在材料性能,器件设计与集成等方面开展系统地研究并取得了重要进展.本文从材料位错密度调控、器件结构设计与器件集成 3个方面讨论了Si基InGaN可见光器件的研究进展及面临的问题,并展望了其发展前景.

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出版年

2025
金属世界
中国金属学会 中国有色金属学会

金属世界

影响因子：0.214
ISSN：1000-6826
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