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Si基InGaN可见光器件研究进展

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Si基InGaN材料因其高电子迁移率,高抗辐射,带隙可调等光电特性,在可见光通信领域展现出良好的潜力.但其发展依旧面临着材料位错密度高、器件性能差及集成度低等问题.为了解决上述问题,研究人员在材料性能,器件设计与集成等方面开展系统地研究并取得了重要进展.本文从材料位错密度调控、器件结构设计与器件集成 3个方面讨论了Si基InGaN可见光器件的研究进展及面临的问题,并展望了其发展前景.
Research Progress of InGaN Visible Light Devices on Si Substrate

刘力玮、肖嘉滢、文灿、周楚翘、曹怡诺、林正梁、李彤彤、闫梓欣、王文樑

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华南理工大学材料科学与工程学院,广东 广州 510641

2025

10.3969/j.issn.1000-6826.2024.09.1001

金属世界
中国金属学会 中国有色金属学会

金属世界

影响因子：0.214
ISSN：1000-6826
年,卷(期)：2025.(1)