基于IGBT双脉冲测试栅极EMI抑制技术研究

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中文摘要：针对绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)栅极电磁干扰抑制有很大的影响,选用N沟道和P沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)组成的推挽栅极电路,首先,分析了含有寄生参数的给出等效电路图的IGBT模块和驱动电路中包含的寄生参数;其次,通过官方型号In-fineon-FF75R12RT4 的IGBT模块导入到LTspiceXVII进行仿真验证,以及基于LTspiceXVII软件仿真分析了外接串联栅极电阻和外接并联栅极电容对 IGBT 动态特性的影响;最后,通过仿真和试验分析了栅极驱动电路的电磁干扰(electronic-magnetic interference,EMI)发生原因和抑制方法,提出了串联栅极电阻和并联栅极电容抑制有效性,并以双脉冲试验验证了其有效性.

作者：

刘海峰、迟耀丹、王春艳、赵旭、邢晓柯

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作者单位：

吉林建筑大学,吉林长春 130119

四平市巨元瀚洋板式换热器有限公司,吉林四平 136000

关键词：

推挽栅极驱动电路寄生参数电磁干扰(EMI)抑制双脉冲

基金：

吉林省科技发展计划项目

项目编号：

20200401012GX

出版年：

2024

DOI：

10.3969/j.issn.1006-8554.2024.07.006

技术与市场

四川省科技信息研究所

技术与市场

影响因子：0.566

ISSN：1006-8554

年,卷(期)：2024.31(7)