摘要
通过分析集成电路制造工艺中的核心环节--光刻技术,采用机械微复形原理的压印光刻技术可避免传统光学光刻的光学衍射限制,能够对最小到6 nm特征尺寸的图形进行复制.通过研究压印光刻原理,详细分析对比热压印及常温压印的工艺特点、复形面积、模具结构和阻蚀胶固化过程等,揭示出常温压印更适用于多层套刻的图形制作.针对基于紫外光固化的常温压印光刻工艺在压印过程中的关键技术:阻蚀胶成膜控制、对准、套刻、精确加载、留膜厚度控制、阻蚀胶固化控制等进行深入研究,提出释放保形软压印工艺,能够实现基于常温软模具压印的大面积亚100 nm级特征尺寸图形的复制.最后,以SIL-Ⅰ型分步式常温紫外光固化压印光刻机的研究为例,对其结构特性做出深入分析,估算出系统的精度等级;通过试验,对系统的压印复形精度做出评估.
基金项目
国家重点基础研究发展计划(973计划)(2003CB716203)
国家重点基础研究发展计划(973计划)(2006AA04Z322)
国家重点基础研究发展计划(973计划)(2006AA05Z411)
国家自然科学基金(50505037)
中国博士后科学基金(2005037242)
NETL
NSTL
维普
万方数据