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硫掺杂锑化镓的电子结构和电学性质

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锑化镓(GaSb)因其具有高电子迁移率和低功耗等特点受到关注,但由于该材料存在大量的受主缺陷使其在应用上受到一定限制.因此,研究GaSb中的缺陷物理以改善材料性能显得尤为重要.运用基于密度泛函理论框架下的第一性原理计算方法,研究了含本征缺陷GaSb及S掺杂GaSb(001)表面的电子结构和电学特性.计算结果表明,GaSb缺陷是GaSb中主要的受主缺陷,S原子倾向于分布在近表面区域,随着S掺杂浓度增加,材料的导电属性发生明显的改变.研究结果有助于理解S掺杂对GaSb电导率的影响,并为GaSb基半导体的设计提供理论指导.
Electronic Structure and Electrical Properties of S-doped GaSb

康超

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江西科技师范大学,江西省光电子与通信重点实验室,330038,南昌

第一性原理 GaSb 掺杂 电子结构

江西省自然科学基金

20202ACB202006

2023

10.13990/j.issn1001-3679.2023.03.018

江西科学
江西省科学院

江西科学

影响因子：0.286
ISSN：1001-3679
年,卷(期)：2023.41(3)
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