机械设计与制造2020,Issue(1) :68-71.

碳化硅研抛过程中表面损伤的仿真与实验研究

Simulation and Experiment Study of Surface Damage in the Silicon Carbide Polishing Process

谷岩 朱文慧 林洁琼 孙建波
机械设计与制造2020,Issue(1) :68-71.

碳化硅研抛过程中表面损伤的仿真与实验研究

Simulation and Experiment Study of Surface Damage in the Silicon Carbide Polishing Process

谷岩 1朱文慧 1林洁琼 1孙建波1
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作者信息

  • 1. 长春工业大学机电工程学院,吉林 长春 130012
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摘要

碳化硅在研抛加工过程中极易产生表面损伤,从而影响工件表面质量和疲劳性能.基于硬脆材料的研抛去除机理,建立有限元仿真模型,模拟单颗粒研抛过程,分析了工件材料的去除过程,以及不同工艺参数对表面应力分布和表面去除形貌的影响.通过计算机控制精密研抛工艺对碳化硅进行研抛试验,进一步分析了各工艺参数下表面形貌的变化,结果表明,较小的主轴转速、较大的磨粒尺寸和研抛深度对工件表面破碎损伤严重,而进给速度对工件表面去除效果的影响不明显,不同工艺参数对表面损伤影响变化趋势与模拟分析结果吻合较好.研究结果对于选择合理的研抛工艺参数以获得良好的表面质量具有重要意义.

关键词

碳化硅/表面损伤/有限元仿真/应力分布/计算机控制精密研抛

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基金项目

吉林省科技厅重点项目(20140622008JC)

吉林省科技厅重点项目(20160520072JH)

吉林省科技厅重点项目(2016101340JC)

国家科技部国际合作项目—(2016YFE0105100)

出版年

2020
机械设计与制造
辽宁省机械研究院

机械设计与制造

CSTPCD北大核心
影响因子:0.511
ISSN:1001-3997
参考文献量4
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