机械设计与制造2020,Issue(9) :149-152,157.

SiC单晶加工参数优化及表面粗糙度预测

Optimizing Process Parameters and Predicting Surface Roughness of SiC Single Crystal Wafer

李伦 杨少东 李济顺 陈稳
机械设计与制造2020,Issue(9) :149-152,157.

SiC单晶加工参数优化及表面粗糙度预测

Optimizing Process Parameters and Predicting Surface Roughness of SiC Single Crystal Wafer

李伦 1杨少东 1李济顺 1陈稳1
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作者信息

  • 1. 河南科技大学河南省机械设计及传动系统重点实验室,河南 洛阳 471003;河南科技大学机电工程学院,河南 洛阳 471003
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摘要

因独特的共价键晶体结构,SiC单晶具有较高的硬度和脆性,是典型的难加工材料.以横向超声激励线锯的方法对SiC单晶进行切割,采用正交实验设计,并引入灰色关联分析法研究切割过程中锯切力、晶片表面粗糙度等多目标与主要加工参数之间的影响关系,以及获得线锯加工最优参数组合,即工件进给速度0.025mm/min、超声振幅1.8μm、线锯速度1.6m/s、工件转速16r/min为最优加工参数组合,并通过实验进行验证.采用果蝇优化算法优化灰色神经网络模型(FOA-GMNN)对SiC单晶片的表面粗糙度Ra进行预测,结果表明:FOA-GMNN模型收敛速度快,鲁棒性好,预测精度高,预测值与实验值的平均相对误差为2.09%.

关键词

线锯切割SiC/横向超声激励/灰色关联分析/参数优化/果蝇优化算法/表面粗糙度预测

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基金项目

河南省高等学校重点科研项目计划(17A460013)

出版年

2020
机械设计与制造
辽宁省机械研究院

机械设计与制造

CSTPCD北大核心
影响因子:0.511
ISSN:1001-3997
参考文献量6
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