建筑工程技术与设计2018，Issue(12) ：4673-4674.

第三代半导体材料的发展现状及建议

张宝
建筑工程技术与设计2018，Issue(12) ：4673-4674.
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第三代半导体材料的发展现状及建议

张宝1
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作者信息

  • 1. 中国电子科技集团第十八研究所，天津300000
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摘要

第三代半导体材料的规模应用已经开始，SiC 功率器件领域已经进入到Si、SiC、GaN3种半导体材料并用的时代。过去，人们一直利用硅的加工性能良好的特点，借助精雕细琢的元件结构，提高功率器件的性能并扩大其应用。现在，利用第三代半导体材料，在提高能效、电源系统小型化、提高耐压等方面，其性能已经达到了硅器件无法企及的高度。

关键词

第三代半导体材料/发展现状/建议

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出版年

2018
建筑工程技术与设计

建筑工程技术与设计

影响因子：0.156
ISSN：
被引量1
参考文献量3
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