LiNbO3铁电薄膜增强型AlGaN/GaN HEMT研制
马陈鹏 1朱俊 1吴智鹏1
作者信息
- 1. 电子科技大学 微电子与固体电子学院 四川成都 610054
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摘要
本文使用新型铁电材料LiNbO3作为栅介质层，制作出了环形栅极结构的增强型LiNbO3/AlGaN/GaN HEMT。实验中利用铁电调制实现增强型器件，栅介质层使用LiNbO3铁电薄膜。相比其他铁电材料，LiNbO3更易与 AlGaN/GaN异质结集成且铁电调制效率较高。LiNbO3铁电薄膜中的自发极化，成功耗尽了 AlGaN/GaN 异质结中的二维电子气（2DEG），实现了具有常关特性的器件。本文验证了 LiNbO3铁电材料可以作为栅介质层来实现增强型器件，为利用铁电调制方法实现增强型器件提供了一种新思路。制作出的增强型HEMT器件的开启电压为+1.4V，器件最大输出电流为58 mA/mm，器件的跨导峰值为82 mS/mm。
关键词
GaN/AlGaN/GaN异质结/二维电子气(2DEG)/铁电调制/LiNbO3/高电子迁移率晶体管(HEMT)/增强型引用本文复制引用
出版年
2014
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