科技研究2014,Issue(16) :342-343.

一种高精度可校准的CMOS片上振荡器设计

陈凯
科技研究2014,Issue(16) :342-343.

一种高精度可校准的CMOS片上振荡器设计

陈凯1
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  • 1. 杭州士兰微电子股份有限公司
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摘要

本文所述的CMOS片上振荡器包括一个电压调节器、一个偏置电路、一个偏置环振荡器、一个比较器以及分频输出单元。在电源电压2.2V~5.5V,温度-40~125℃范围,振荡器能提供高精度的32MHz时钟频率,校准前精度±25%,6位校准后精度可达±3%。利用GSMC的0.18um工艺实现,模块面积250*100um2,5V工作时典型功耗仅为250uA,不需要额外提供基准或其他部件。

关键词

CMOS片上振荡器/高精度/环振荡器

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出版年

2014
科技研究

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参考文献量2
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