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A、B位掺杂对Bi4Ti3O12陶瓷结构和介电性能的影响
A、B位掺杂对Bi4Ti3O12陶瓷结构和介电性能的影响
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中文摘要:
本文研究了Mg2+、Nb5+离子等量复合掺杂等制备工艺的改变对Bi4Ti3O12陶瓷微观结构和介电性能的影响.经过实验探究发现通过Mg2+、Nb5+复合掺杂对于微波下的品质因数改善明显.经过工艺优化的MR1Bi3.9Nb0.1Ti2.9O12陶瓷在较低的烧结温度(1100℃)下表现出较好的微波特性:εr=150,O×f=586GHz.
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作者:
郇正利、闫锋、王文林
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作者单位:
中国电子科技集团公司第四十六研究所 天津300220
关键词:
铋层状结构
Bi4Ti3O12
微波性能
掺杂
出版年:
2017
科技经济导刊
科技经济导刊
ISSN:
年,卷(期):
2017.
(1)
参考文献量
1