科技经济导刊2017，Issue(17) ：158-159.

应变硅锗pMOSFET Ⅰ-Ⅴ和跨导模型研究

王颖
科技经济导刊2017，Issue(17) ：158-159.
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应变硅锗pMOSFET Ⅰ-Ⅴ和跨导模型研究

王颖1
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  • 1. 陕西学前师范学院 基建处 陕西西安710100
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摘要

应变硅锗pMOSFET器件是当前的研究热点,本文基于应变硅锗pMOSFET器件结构与特点,建立其I-V和跨导模型,对其进行了模拟仿真,获得了电流和跨导随关键参数的变化趋势,仿真结果表明比普通硅器件性能提升明显,为应变硅锗技术的发展奠定理论基础.

关键词

应变硅锗pMOSFET器件/能带结构/模型研究

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出版年

2017
科技经济导刊

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ISSN：
参考文献量1
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