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应变硅锗pMOSFET Ⅰ-Ⅴ和跨导模型研究
应变硅锗pMOSFET Ⅰ-Ⅴ和跨导模型研究
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中文摘要：
应变硅锗pMOSFET器件是当前的研究热点,本文基于应变硅锗pMOSFET器件结构与特点,建立其I-V和跨导模型,对其进行了模拟仿真,获得了电流和跨导随关键参数的变化趋势,仿真结果表明比普通硅器件性能提升明显,为应变硅锗技术的发展奠定理论基础.
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作者：
王颖
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作者单位：
陕西学前师范学院 基建处 陕西西安710100
关键词：
应变硅锗pMOSFET器件
能带结构
模型研究
出版年：
2017
科技经济导刊
科技经济导刊
ISSN：
年,卷(期)：
2017.
(17)
参考文献量
1
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