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绝缘栅FET中国专利现状分析
绝缘栅FET中国专利现状分析
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中文摘要：
绝缘栅场效应晶体管场效应晶体三极管简称为场效应管,是一种利用外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的一种半导体器件.本文通过对我国功率MOSFET中的绝缘栅场效应晶体管领域及其下属的沟槽栅极MOSFET领域的专利申请趋势、申请人及技术分布进行了分析,为我国绝缘栅FET的发展提供参考.
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作者：
李海龙
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作者单位：
国家知识产权局专利局专利审查协作天津中心
关键词：
绝缘栅
场效应晶体管
沟槽栅
功率器件
专利
出版年：
2017
科技尚品
科技尚品
ISSN：
年,卷(期)：
2017.
(5)
参考文献量
1
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