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功率器件门振荡现象及其对策
功率器件门振荡现象及其对策
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中文摘要:
在特定情况下,MOSFET和IGBT的门极可能发生振荡的现象,门振荡可能引起门极绝缘劣化及HVIC损坏.本文介绍了门振荡的现象、影响、原因推测及应对方法.
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作者:
刘莉华
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作者单位:
广东美的暖通设备有限公司
关键词:
MOSFET
IGBT
门振荡
解决方法
出版年:
2017
科技尚品
科技尚品
ISSN:
年,卷(期):
2017.
(6)
参考文献量
2