摘要
大量研究表明ZnO薄膜已在气敏器件、表面声波器件和压敏器件等方面得到较为广泛的应用。由于Si与ZnO的晶格常数及热膨胀系数的失配度均很大，难以实现高质量ZnO薄膜的外延生长，采用中间缓冲层是一种值得研究的工艺。由于AIN的晶格结构与ZnO相同，所以可作为生长高质量ZnO薄膜的缓冲层，并改善ZnO／A1N界面结构。实验采用射频磁控溅射制备了ZnO／AIN双层膜，研究了薄膜的结构和形貌。结果表明，相比于相同工艺下制备的ZnO／Si薄膜，双层膜的生长取向依然是（002），应力减小，结晶质量更好。
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