国家学术搜索
登录
注册
中文
EN
科技信息(学术版)
2011,
Issue
(15) :
J0140-J0141.
等离子体中逃逸电子产生机制的实验研究
科技信息(学术版)
2011,
Issue
(15) :
J0140-J0141.
引用
✕
来源:
NETL
NSTL
万方数据
等离子体中逃逸电子产生机制的实验研究
扫码查看
点击上方二维码区域,可以放大扫码查看
摘要
本文主要介绍了等离子体中逃逸电子产生机制的计算及在不同的条件下逃逸电子产生机制占有不同的主导地位。逃逸电子的产生主要有两种机制:一种是初级产生机制主要在初级阶段占主导作用;另一种是次级产生机制在放电的平顶阶段起主导作用。托卡马克装置中的逃逸电子产生时会伴有很高的能量释放,对实验装置第一壁材料的性能和寿命造成不良影响。
关键词
托卡马克
/
逃逸电子
/
产生机制
/
能量
/
密度
引用本文
复制引用
出版年
2011
科技信息(学术版)
山东省技术开发服务中心
科技信息(学术版)
ISSN:
1001-9960
引用
段落导航
相关论文
摘要
关键词
引用本文
出版年
参考文献
引证文献
同作者其他文献
同项目成果
同科学数据成果