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对高介电常数栅介质Nd2O3薄膜生长速率影响的分析
对高介电常数栅介质Nd2O3薄膜生长速率影响的分析
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中文摘要:
本文生长了不同前驱体加热温度以及不同淀积温度下的Nd2O3薄膜,通过分析不同条件下的薄膜生长速率从而给出了薄膜生长的最佳工艺参数。
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作者:
李昆、王琦、高晓鹏
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作者单位:
西安卫光科技有限公司,陕西 西安 710065
关键词:
前驱体
淀积温度
生长速率
出版年:
2016
科技信息
山东省技术开发服务中心
科技信息
影响因子:
0.15
ISSN:
1001-9960
年,卷(期):
2016.
(10)