半导体制造技术中等离子刻蚀工艺是电路图形最终形成的关键步骤,也被称为半导体制作工艺中的雕刻艺术,刻蚀腔体则相当于雕刻工具,随着使用时间的增加,必然导致刻蚀腔体内部表面态由于长时间的刻蚀发生变化,这种变化对等离子刻蚀工艺造成很大的影响,直接导致电路图形横向关键尺寸和纵向形貌的改变.在微电子学中,特征尺寸通常指集成电路中半导体器件的最小尺寸,如MOSE管的栅极关键尺寸,硅栅关键尺寸就是特征尺寸,它是衡量集成电路设计和制造工艺水平的重要参数,但是特征尺寸越小,受到刻蚀腔体表面态变化的影响越大,通过对刻蚀腔体表面态的分析,调节等离子刻蚀工艺,减少硅栅关键尺寸的标准偏差,降低由于硅栅关键尺寸的变化而降低良率.
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