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单晶硅片多线切割技术与设备发展综述
单晶硅片多线切割技术与设备发展综述
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中文摘要:
本文介绍了单晶硅片的多线切割机理,指出控制钢线张力、减少钢线震动是切割工艺的重要指标.并且讨论了切割过程主要影响因素,钢线外表面的Cu会造成硅片表面金属残留,钢线磨损影响硅片厚度,砂浆喷嘴和线网角度在形成水平薄膜层时能够获得好的表面质量.分析了钢线带动砂装进行切割的核心工艺,并简要概括了目前多线切割技术及设备的国内外发展形势和未来发展趋势,指出未来多线切技术将朝着提高加工精度与加工效率、降低成本、改良切割用钢线这几个方向迈进.
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作者:
何庆涛
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作者单位:
中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300000
关键词:
多线切割硅片
半导体材料
钢线张力
砂浆
出版年:
2017
科技展望
宁夏科技信息研究所
科技展望
ISSN:
1672-8289
年,卷(期):
2017.
27
(25)
参考文献量
4