BPSG介质层的缺陷失效机制研究

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中文摘要：IC半导体制造工艺中,连接金属与器件之间的介质层一般采用BPSG(掺杂硼磷硅化玻璃)和PETEOS(二氧化硅)作为绝缘层.钨用来作为金属层与器件的连线.而在实际制造过程中,由于BPSG表面浓度会随后续热过程而增加,会在BPSG与PETEOS界面形成晶体析出.从而造成空洞引起W的缺陷.在BPSG退火前后引入SC1清洗,可以有效改善表面硼磷析出,抑制后续钨工艺中形成的缺陷.

作者：

刘峰松、陶有飞、梁斌、蔡双

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作者单位：

上海先进半导体工艺集成分部,上海 200233

关键词：

BPSG 硼磷析出钨塞缺陷

出版年：

2017

科技展望

宁夏科技信息研究所

科技展望

ISSN：1672-8289

年,卷(期)：2017.27(26)