BPSG介质层的缺陷失效机制研究

刘峰松 ¹陶有飞 ¹梁斌 ¹蔡双¹

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1. 上海先进半导体工艺集成分部,上海 200233
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摘要

IC半导体制造工艺中,连接金属与器件之间的介质层一般采用BPSG(掺杂硼磷硅化玻璃)和PETEOS(二氧化硅)作为绝缘层.钨用来作为金属层与器件的连线.而在实际制造过程中,由于BPSG表面浓度会随后续热过程而增加,会在BPSG与PETEOS界面形成晶体析出.从而造成空洞引起W的缺陷.在BPSG退火前后引入SC1清洗,可以有效改善表面硼磷析出,抑制后续钨工艺中形成的缺陷.

关键词

BPSG/硼磷析出/钨塞/缺陷

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出版年

2017

科技展望

宁夏科技信息研究所

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ISSN：1672-8289

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