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GaN在半球型蓝宝石图形衬底上的生长

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采用蓝宝石图形衬底（Patterned Sapphire Substrate）技术既可以提高 LED 的光提取效率，又能够有效地降低 GaN 外延层中的位错密度，改善 GaN 的晶体质量和器件性能。

张超奇、李勇波、任杰

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西安中为光电科技有限公司

蓝宝石衬底(pss) 氮化镓(GaN) 位错 发光效率

2015

科学时代
海南省科学技术协会

科学时代

ISSN：1005-250X
年,卷(期)：2015.(13)
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