有V-pits存在的InGaN/GaN MQW结构,在(10-11)方向形成的半极性MQW,它的势能比较高,因此可以有效的防止载流子扩散到缺陷内,进而减少非辐射复合,另外,空穴会通过半极性面进入C面量子阱,因此多了一个空穴的注入通道,空穴可以在量子阱内扩散的更远,有效的改善因电流密度变大导致的droop效应因此[1],因此V-pits是提高LED GaN的发光效率的关键因素.本文主要针对GaN基发光二极管(LED)的V-pits的尺寸、密度的机理研究,提供几种调节V-pits的方法,去匹配不同电流密度的芯片,提高LED的发光效率.
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