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热处理温度对反应烧结碳化硅材料组织与性能的影响

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研究了真空热处理温度对反应烧结碳化硅材料显微组织和断裂强度的影响.结果表明:反应烧结碳化硅中的游离硅在1600℃、1800℃真空热处理过程中已全部去除;经过1800℃真空热处理材料的强度均高于1600℃真空热处理材料的强度.在1800℃真空热处理过程中发生的碳化硅再结晶以及气孔形状的变化,是其强度较高的主要原因.
Effect of heat treatment temperature on microstructure and fracture strength of reaction- sintered silicon carbide

黄清伟、高积强、金志浩

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西安交通大学材料科学与工程学院,西安,710049

碳化硅 反应烧结 热处理

国家自然科学基金

59772013

2000

耐火材料
中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司

耐火材料

CSTPCD北大核心
影响因子：0.808
ISSN：1001-1935
年,卷(期)：2000.34(1)
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