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闭空间升华法制备CdTe薄膜
闭空间升华法制备CdTe薄膜
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中文摘要:
用闭空间升华法制备CdTe薄膜.研究了衬底材料、基片温度对膜微结构的影响.衬底温度在400℃以上薄膜结晶状况较为完整。结晶状况较好的CdS薄膜上生长的CdTe薄膜晶粒较大,尺寸均匀。在CdTe膜面涂敷CdCl2甲醇溶液,可促进热处理过程中薄膜晶粒的长大。
外文标题:
Preparation of CdTe Film with Close-Space Sublimation
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作者:
陈爱平、沈才康、武莉莉、张静全
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作者单位:
南京工业大学,理学院,江苏,南京,210009
四川大学,四川,成都,610064
关键词:
CdTe
近空间升华
太阳电池
出版年:
2002
南京建筑工程学院学报
南京建筑工程学院
南京建筑工程学院学报
CSTPCD
ISSN:
1003-711X
年,卷(期):
2002.
(1)
参考文献量
1