在过去的几年里,钙钛矿太阳电池由于其优良稳定性和高的理论功率转换效率而在全球范围内受到了前所未有的关注.有机-无机卤化物钙钛矿具有低成本、易成膜、窄带隙、高迁移率等突出优点,在太阳电池以及其它半导体光电领域得到广泛应用.然而多晶钙钛矿薄膜在制备过程中会不可避免的在表面和晶界处产生大量缺陷,这些缺陷会在高电压损失下加速非辐射复合,也导致PCE降低,对环境刺激的抵抗力减弱.据报道,多晶薄膜界面的缺陷密度大约比薄膜内部高一到两个数量级.因此,通过界面工程最大限度地减少界面非辐射复合损失是实现高性能稳定PSCs的关键策略.因此,能否有效的调控缺陷是目前存在的关键问题.基于此,综述了钙钛矿的研究进展.总结和讨论了钙钛矿目前存在的问题,回顾了解决这些问题的解决方案,并对进一步的战略进行了展望.