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硅衬底上有序氮化铝纳米线阵列的生长

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在450℃反应温度下,利用无水三氯化铝与叠氮化钠在25mL的不锈钢反应釜中直接反应,成功地在硅片衬底上制备了六方单晶氮化铝(h-A1N)纳米线有序阵列.这些纳米线呈长直线状,粗细均匀,直径约为100nm,长度均在几个微米以上.所有纳米线生长方向一致,而且与硅片衬底垂直.经过分析.纳米线由气液固机制生长而成.
Growth of AIN Nanowire Arrays on Silicon Substrate

吕惠民、谷力

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西安理工大学应用物理系,陕西,西安,710048

六方单晶氮化铝 纳米线阵列 气液固机制

陕西省教育厅科学研究计划西安理工大学科学研究计划

06JK214108-210702

2009

纳米科技
西安纳米科技学会 陕西省电子学会纳米技术专业委员会

纳米科技

ISSN：1812-1918
年,卷(期)：2009.6(1)
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