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硅基PZT热释电薄膜三方-四方相变的拉曼散射研究

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采用溶胶-凝胶法在硅衬底上成功制备出厚度约200 nm的PZT薄膜,并以差热实验为基础,分别采用600℃、650℃和700℃三种退火温度,并对不同温度下的薄膜进行拉曼测试,分析三方-四方相变趋势,研究结果表明,中频区域的A1(2TO)振动模作为四方的一个标志,随着退火温度的升高强度逐渐增强,三方向四方转变;高频范围的A1(3TO)T振动模随着退火温度的升高强度也在逐渐增强,三方晶胞在减少而四方晶胞在增多,即随着退火温度的升高,三方有向四方转变的趋势.
Raman Scattering Studies on PZT Thin Films for Trigonal and Tetragonal Phase Transition

李珺泓、薛晨阳、梁庭、丑修建、谭秋林、张琼

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中北大学电子测试技术国家重点实验室,仪器科学与动态测试教育部重点实验室,山西,太原,030051

PZT 拉曼散射 相变

国家高技术研究发展计划(863计划)电子测试技术国家重点实验室基金微米纳米加工技术国家级重点实验室开放基金

2006AA040601

2009

纳米科技
西安纳米科技学会 陕西省电子学会纳米技术专业委员会

纳米科技

ISSN：1812-1918
年,卷(期)：2009.6(3)
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