纳米科技2009，Vol.6Issue(4) ：24-27.

硅基PZT热释电薄膜湿法刻蚀技术研究

Study on Wet-etching of PZT Thin Films on Silicon Substrate

梁庭 李珺泓 杜文龙 薛晨阳 张文栋
纳米科技2009，Vol.6Issue(4) ：24-27.
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硅基PZT热释电薄膜湿法刻蚀技术研究

Study on Wet-etching of PZT Thin Films on Silicon Substrate

梁庭 1李珺泓 1杜文龙 1薛晨阳 1张文栋1
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作者信息

  • 1. 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,山西,太原,030051
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摘要

通过对不同组合比的PZT薄膜湿法刻蚀技术研究,成功地配制出两种不同的刻蚀液,主要以HF、NH4F、HCl、NH4Cl、EDTA、HNO3为原料,NH4F、NH4Cl和EDTA的引入,有效地实现了刻蚀速率的可控性,并对PZ0.15T0.85、PZ0.3T0.7、PZ0.5T0.5和P1.1Z0.3T0.3四种薄膜进行微图形化研究,分析了刻蚀液对各种成份的刻蚀机理,通过实验,得到了分别刻蚀四种薄膜的刻蚀液的最佳配比,并对四种薄膜的刻蚀速率进行了研究.

关键词

PZT薄膜/热释电/湿法刻蚀

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基金项目

国家高技术研究发展计划(863计划)重大项目(2006AA040601)

出版年

2009
纳米科技
西安纳米科技学会 陕西省电子学会纳米技术专业委员会

纳米科技

ISSN：1812-1918
参考文献量4
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