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硅基PZT热释电薄膜湿法刻蚀技术研究

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通过对不同组合比的PZT薄膜湿法刻蚀技术研究,成功地配制出两种不同的刻蚀液,主要以HF、NH4F、HCl、NH4Cl、EDTA、HNO3为原料,NH4F、NH4Cl和EDTA的引入,有效地实现了刻蚀速率的可控性,并对PZ0.15T0.85、PZ0.3T0.7、PZ0.5T0.5和P1.1Z0.3T0.3四种薄膜进行微图形化研究,分析了刻蚀液对各种成份的刻蚀机理,通过实验,得到了分别刻蚀四种薄膜的刻蚀液的最佳配比,并对四种薄膜的刻蚀速率进行了研究.
Study on Wet-etching of PZT Thin Films on Silicon Substrate

梁庭、李珺泓、杜文龙、薛晨阳、张文栋

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中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,山西,太原,030051

PZT薄膜 热释电 湿法刻蚀

国家高技术研究发展计划(863计划)重大项目

2006AA040601

2009

纳米科技
西安纳米科技学会 陕西省电子学会纳米技术专业委员会

纳米科技

ISSN：1812-1918
年,卷(期)：2009.6(4)
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