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Au/SiO2复合纳米颗粒膜及SiO2纳米线的制备

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室温下用磁控溅射法在Si(111)衬底上生成Au/SiO2复合纳米颗粒膜,并分不同温度进行退火处理.1000℃退火时自组装生成空间分布均匀(直径约为70 nm)的Au纳米点,从而用自组装生长方法制备了生长一维纳米材料的模板,然后,将Au催化剂模板在1 100℃下退火处理,生成纳米线,SEM和TEM测试,制备的SiO2纳米线直径约为100 nm,长度约为4μm,表面光滑,直且粗细均匀.
Fabration of the SiO2 Nanowires Using Au Catalysts Template Prepared by Magnetron Sputtering

李玉国、卓博世、张敬尧、崔传文、张月甫、扬爱春

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山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所,山东,济南,250014

磁控溅射 模板 SiO2纳米线

教育部留学回国人员科研启动基金

2009

纳米科技
西安纳米科技学会 陕西省电子学会纳米技术专业委员会

纳米科技

ISSN：1812-1918
年,卷(期)：2009.6(4)
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