纳米科技2009,Vol.6Issue(4) :46-50.

(Ba0.6Sr0.4)Ti1-xZnxO3薄膜的介电调谐性能

Dielectric and Tunable Properties of (Ba0.6Sr0.4)Ti1-xZnxO3 Thin Films

孙小华 邹隽 胡宗智 吴敏 赵兴中
纳米科技2009,Vol.6Issue(4) :46-50.

(Ba0.6Sr0.4)Ti1-xZnxO3薄膜的介电调谐性能

Dielectric and Tunable Properties of (Ba0.6Sr0.4)Ti1-xZnxO3 Thin Films

孙小华 1邹隽 2胡宗智 2吴敏 2赵兴中3
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作者信息

  • 1. 三峡大学机械与材料工程学院,湖北,宜昌,443002;武汉大学物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072
  • 2. 三峡大学机械与材料工程学院,湖北,宜昌,443002
  • 3. 武汉大学物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072
  • 折叠

摘要

利用溶胶一凝胶法在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了(Ba0.6Sr0.4Ti1-xZnxO3(BSTZ)薄膜,用X射线衍射和扫描电镜分析测定了BSTZ的微结构和薄膜的表面形貌,研究Zn掺杂量对其介电调谐性能的影响,结果表明,随Zn含量的增加BSTZ物相无明显变化,其介电常数、调谐量先增加后降低,但介电损耗却先降低后增加.在室温1 MHz下,1.5 mol%Zn掺杂BSTZ薄膜有最大的调谐量54.26%;2.5 mol%Zn掺杂BSTZ薄膜有最低的介电损耗0.0148和最大的优值因子30.3.

关键词

BST薄膜/掺杂/溶胶-凝胶/介电调谐性能

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出版年

2009
纳米科技
西安纳米科技学会 陕西省电子学会纳米技术专业委员会

纳米科技

ISSN:1812-1918
参考文献量12
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