纳米科技2009，Vol.6Issue(5) ：35-39.

环境友好半导体β-FeSi2薄膜的制备方法研究

Research of Preparing Methods of Ecological Semiconductor β-FeSi2 Films

马道京 张晋敏 王衍 朱培强 陈站 谢泉
纳米科技2009，Vol.6Issue(5) ：35-39.
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环境友好半导体β-FeSi2薄膜的制备方法研究

Research of Preparing Methods of Ecological Semiconductor β-FeSi2 Films

马道京 1张晋敏 1王衍 1朱培强 1陈站 1谢泉1
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作者信息

  • 1. 贵州大学理学院,贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵州,贵阳,550025
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摘要

分析了制备和热处理过程中薄膜沉积方法和沉积条件、沉积速率、薄膜厚度、热处理方法和热处理条件等因素对β-FeSi2相的形成的影响,结果表明,影响β-FeSi2相形成的决定性因素是热处理的温度和时间,此外薄膜的沉积方法和薄膜厚度对β-FeSi2相也有重要的影响.

关键词

薄膜制备/环境友好半导体β-FeSi2/热处理工艺

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基金项目

贵州省自然科学基金(黔科合J字[2008]2002号)

贵州省科技厅国际合作项目(黔科合外G字2009700113号)

贵阳市科学技术局大学生创业科技项目(筑科计20076-3号)

贵阳市科学技术局大学生创业科技项目(筑科计20076-1号)

贵州大学研究生创新基金(校研理工2009011)

出版年

2009
纳米科技
西安纳米科技学会 陕西省电子学会纳米技术专业委员会

纳米科技

ISSN：1812-1918
被引量2
参考文献量4
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