纳米科技2009，Vol.6Issue(5) ：45-49.

Bi/Bi2O3晶格复合热电薄膜的制备及其性能研究

Research on Fabrication and Properties of Bi/Bi2O3 Lattice Compound Thermoelectric Thin Films

尹程程 栾伟玲 王迪 涂善东
纳米科技2009，Vol.6Issue(5) ：45-49.
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Bi/Bi2O3晶格复合热电薄膜的制备及其性能研究

Research on Fabrication and Properties of Bi/Bi2O3 Lattice Compound Thermoelectric Thin Films

尹程程 1栾伟玲 1王迪 1涂善东1
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作者信息

  • 1. 华东理工大学机械与动力工程学院,上海,200237
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摘要

利用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备Bi/Bi2O3晶格复合热电薄膜,考察了溅射功率对单层Bi薄膜表面粗糙度和热电性能的影响,结果表明,当溅射功率为22W时,薄膜具有最小的表面粗糙度16.3 nm,电导率和功率因子分别为2.9×104 S/m和5.74 μV/km2,单层Bj薄膜最佳的工作温度为85～105℃.Bi/Bi2O3晶格复合热电薄膜最佳的溅射层数为5层,其电导率和功率因子分别为9.0×104 S/m和21.0 μV/k2m,分别比单层Bi薄膜提高了2.1倍和2.65倍.

关键词

热电材料/射频磁控溅射/薄膜/晶格复合结构

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出版年

2009
纳米科技
西安纳米科技学会 陕西省电子学会纳米技术专业委员会

纳米科技

ISSN：1812-1918
参考文献量3
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