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互补MIS鳍式场效应晶体管（FinFET）的专利技术综述

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FinFET鳍式场效应晶体管，作为一种新型结构的互补式金属氧化物半导体晶体管，具有以下优势：能够有效抑制短沟道效应，有更高的电流驱动能力和良好的亚阈值斜率，准平面结构且制备方法简单，与CMOS工艺兼容性好，双栅自对准并同时和源漏自对准，能够有效提高MOS管的性能，在过去的十多年受到了广泛的关注。

张磊

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国家知识产权局专利局 专利审查协作湖北中心，湖北 武汉 430070

FinFET 场效应晶体管 专利分析

2016

企业技术开发(下半月)
湖南省科学技术信息研究所

企业技术开发(下半月)

影响因子：0.571
ISSN：1006-8937
年,卷(期)：2016.35(17)
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