钦州学院学报2019，Vol.34Issue(3) ：38-41,54.

纳米尺寸AlGaN/GaNMIS-HEMT的栅电容模型

A Gate Capacitance Model of Nano-scale AlGaN/GaN MIS-HEMT

朱兆旻 刘顺 罗俊琦
钦州学院学报2019，Vol.34Issue(3) ：38-41,54.
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纳米尺寸AlGaN/GaNMIS-HEMT的栅电容模型

A Gate Capacitance Model of Nano-scale AlGaN/GaN MIS-HEMT

朱兆旻 1刘顺 1罗俊琦1
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作者信息

  • 1. 钦州学院 电子与信息工程学院, 广西 钦州 535011
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摘要

AlGaN/AlN/GaN金属-绝缘层-半导体高电子迁移率器件(MIS-HEMT)的栅电容模型是基于对GaN界面二维电子气(2DEG)浓度ns的公式推导,求解过程中采用牛顿-拉夫逊迭代法并给出了近似的解析解.模型中的二维电子气浓度同数值模拟结果进行了比较,误差小于3％;电容模型跟实测的电容电压(C-V)特性进行了比较,误差小于10％.

关键词

HEMT/费米能级/C-V特性/高电子迁移率晶体管/二维电子气

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出版年

2019
钦州学院学报
钦州学院

钦州学院学报

影响因子：0.232
ISSN：1673-8314
参考文献量11
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