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纳米尺寸AlGaN/GaNMIS-HEMT的栅电容模型

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AlGaN/AlN/GaN金属-绝缘层-半导体高电子迁移率器件(MIS-HEMT)的栅电容模型是基于对GaN界面二维电子气(2DEG)浓度ns的公式推导,求解过程中采用牛顿-拉夫逊迭代法并给出了近似的解析解.模型中的二维电子气浓度同数值模拟结果进行了比较,误差小于3％;电容模型跟实测的电容电压(C-V)特性进行了比较,误差小于10％.
A Gate Capacitance Model of Nano-scale AlGaN/GaN MIS-HEMT

朱兆旻、刘顺、罗俊琦

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钦州学院 电子与信息工程学院, 广西 钦州 535011

HEMT 费米能级 C-V特性 高电子迁移率晶体管 二维电子气

2019

钦州学院学报
钦州学院

钦州学院学报

影响因子：0.232
ISSN：1673-8314
年,卷(期)：2019.34(3)
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