首页|High-k材料研究进展与存在的问题

High-k材料研究进展与存在的问题

扫码查看
原文链接
  • 国家科技期刊平台
  • NETL
  • NSTL
  • 万方数据
  • 维普
随着集成电路的飞速发展,SiO2作为传统的栅介质将不能满足MOSFET器件高集成度的要求,需要一种新型High-k材料来代替传统的SiO2,这就要综合考虑以下几个方面问题:(1)介电常数和势垒高度;(2)热稳定性;(3)薄膜形态;(4)界面质量;(5)与Si基栅兼容;(6)工艺兼容性;(7)可靠性.本文综述了几类High-k栅介质材料的研究现状及存在的问题.目前任何一种有望替代SiO2的栅介质材料都不能完全满足上述几点要求.但是,科学工作者们已经发现了几种有希望的High-k候选材料.
The Progress and Problems of High-k Materials

杨雪娜、王弘、张寅、姚伟峰、尚淑霞、周静涛、刘延辉

展开 >

山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

山东大学环境与工程科学学院,济南,250100

High-k材料 MOSFET 栅介质 薄膜

国家重点实验室基金

04010125

2004

人工晶体学报
中材人工晶体研究院

人工晶体学报

CSTPCDCSCD北大核心
影响因子：0.554
ISSN：1000-985X
年,卷(期)：2004.33(5)
  • 3
  • 23