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宽带隙化合物半导体Zn1-xMgxO薄膜的制备

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利用超声雾化热分解技术,在玻璃衬底上生长出宽带隙的Zn1-xMgxO薄膜.所有样品在可见光范围内的透过率可达到85%以上.X射线衍射的测试结果表明所有样品都具有c轴择优生长特性,并且随薄膜中Mg含量的不同出现规律性变化.光致发光谱表明Mg掺入后ZnO薄膜的紫外发射峰出现了蓝移,实现了对禁带宽度的调节.
Fabrication of Wide Band-gap Semiconductor Zn1-xMgxO Thin Film

边楠、张晓丹、张霞、赵颖、杨瑞霞

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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071

光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津 300071

河北工业大学信息学院,天津,300130

超声喷雾热分解 Zn1-xMgxO薄膜 宽带隙半导体 禁带宽度

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2008

人工晶体学报
中材人工晶体研究院

人工晶体学报

CSTPCDCSCD北大核心
影响因子：0.554
ISSN：1000-985X
年,卷(期)：2008.37(6)
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