山西化工2023，Vol.43Issue(7) ：8-10.DOI:10.16525/j.cnki.cn14-1109/tq.2023.07.004

直拉法单晶硅中位错影响因素的研究进展

Research Progress on Factors Affecting Dislocations in Czochralski Monocrystalline Silicon

吕涛 张波 罗晓斌 郭卫
山西化工2023，Vol.43Issue(7) ：8-10.DOI:10.16525/j.cnki.cn14-1109/tq.2023.07.004
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直拉法单晶硅中位错影响因素的研究进展

Research Progress on Factors Affecting Dislocations in Czochralski Monocrystalline Silicon

吕涛 1张波 1罗晓斌 1郭卫1
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作者信息

  • 1. 山西潞安太阳能科技有限责任公司,山西 长治 046000
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摘要

针对直拉法单晶硅中位错影响因素研究进展进行总结分析,在直拉法单晶硅中的位错形成以及运动机理进行介绍的前提条件下,对直拉法单晶硅生长过程当中的固液界面、籽晶热冲击、晶体直径以及杂质等因素对其位错的影响进行了归纳,并进一步分析鳞、硼、氮、氧等杂质对于直拉法单晶硅位错形成的影响.希望对有关直拉法单晶硅中位错影响因素研究进展的整理归纳方面的完善发挥积极的影响.

关键词

直拉法/单晶硅/位错影响因素

Key words

direct pull method/monocrystalline silicon/dislocation influencing factors

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基金项目

山西省重点研发计划(202202060301015)

山西省科技成果转化引导专项(202204021301070)

出版年

2023
山西化工
山西省煤化工发展促进中心 山西省化工学会

山西化工

影响因子：0.293
ISSN：1004-7050
参考文献量3
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