在纳米CMOS技术中,因恶劣辐射环境引起的三节点翻转(TNU)在存储单元例如锁存器中变得越来越敏感.为了缓解软错误对集成电路的影响,提出了一种新型低开销三节点翻转自恢复辐射加固锁存器设计.该锁存器主要由12个交叉耦合单元反馈互锁组成,形成十字结构.利用交叉耦合单元间的数据反馈,内部节点的有序组合,实现了TNU自恢复.HSPICE仿真验证了该锁存器的可靠性,与最新的TNU自恢复的锁存器相比,该锁存器的功耗、延迟、面积和三者乘积分别降低了5%、72.52%、42.81%以及85.1%,且对工艺、电压和温度波动都较稳定.
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