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21vf高比容低压腐蚀箔的制备方法
21vf高比容低压腐蚀箔的制备方法
Preparation of 21vf high specific capacity low pressure etched foil
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中文摘要:
在21vf高比容低压腐蚀箔制备过程中,通过在低压腐蚀工艺中引入硫酸、草酸、及A物质等添加剂,研究单一添加剂和混合添加剂对铝电解电容器用低压腐蚀箔比电容和保持率的影响.结果表明:腐蚀液的组成是影响21vf腐蚀箔性能的主要因素.在其它条件不变的情况下,在二次腐蚀溶液中加入2-8%H2SO4硫酸、5g/L~10g/L草酸、8-12ppmA混合添加剂时,可以使21vf的比容达到82μF/cm2,保持率在59%以上.本文简要介绍了此方法的实验方法及工艺流程,实验结果以供参考.
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作者:
陈锁斌、杨辉、陆伟、陈嘉庚
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作者单位:
新疆众和股份有限公司,新疆 乌鲁木齐 830023
新疆铝基电子材料工程技术研究中心,新疆 乌鲁木齐 830013
关键词:
21vf
腐蚀箔
添加剂
比电容
保持率
出版年:
2022
世界有色金属
有色金属技术经济研究院
世界有色金属
影响因子:
0.138
ISSN:
1002-5065
年,卷(期):
2022.
(14)
参考文献量
6