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基于SiC功率器件的PFC电路设计

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利用碳化硅场效应管(SiC MOSFET)的特性,结合MC33262功率因数控制芯片,设计一款具有负压关断作用且输出400 V、250 W,效率为97%左右的功率因数校正(PFC)电路。该电路能够降低MOS管的开关损耗,提高电源功率因数,抑制电压与电流谐波系数,提升电源利用率以及稳定性。
Design of PFC circuit based on SiC power device
A power factor correction(PFC)circuit with a negative voltage shutdown function and an output of 400 V,250 W and efficiency of about 97%is designed,By using the characteristics of silicon carbide field-effect tubes(SiC MOSFET),and the MC33262 power factor control chip.The circuit reduces the turn-off lossse of the MOS tube,improves the power factor of the power supply,Suppresses voltage and current harmonic coefficients,to improve power utilization and stability.

SiCnegative voltage shutdown circuitPFCpower factor

姚广平、张炎、王振辉、潘玉灼

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泉州师范学院物理与信息工程学院,福建泉州 362000

碳化硅(SiC) 负压关断 PFC 功率因数

福建省科技厅引导性项目泉州市科技局人才项目

2021H00512020C029R

2024

商丘师范学院学报
商丘师范学院

商丘师范学院学报

CHSSCD
影响因子:0.211
ISSN:1672-3600
年,卷(期):2024.40(9)