商丘师范学院学报2024,Vol.40Issue(9) :13-16.

基于SiC功率器件的PFC电路设计

Design of PFC circuit based on SiC power device

姚广平 张炎 王振辉 潘玉灼
商丘师范学院学报2024,Vol.40Issue(9) :13-16.

基于SiC功率器件的PFC电路设计

Design of PFC circuit based on SiC power device

姚广平 1张炎 1王振辉 1潘玉灼1
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作者信息

  • 1. 泉州师范学院物理与信息工程学院,福建泉州 362000
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摘要

利用碳化硅场效应管(SiC MOSFET)的特性,结合MC33262功率因数控制芯片,设计一款具有负压关断作用且输出400 V、250 W,效率为97%左右的功率因数校正(PFC)电路.该电路能够降低MOS管的开关损耗,提高电源功率因数,抑制电压与电流谐波系数,提升电源利用率以及稳定性.

Abstract

A power factor correction(PFC)circuit with a negative voltage shutdown function and an output of 400 V,250 W and efficiency of about 97%is designed,By using the characteristics of silicon carbide field-effect tubes(SiC MOSFET),and the MC33262 power factor control chip.The circuit reduces the turn-off lossse of the MOS tube,improves the power factor of the power supply,Suppresses voltage and current harmonic coefficients,to improve power utilization and stability.

关键词

碳化硅(SiC)/负压关断/PFC/功率因数

Key words

SiC/negative voltage shutdown circuit/PFC/power factor

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基金项目

福建省科技厅引导性项目(2021H0051)

泉州市科技局人才项目(2020C029R)

出版年

2024
商丘师范学院学报
商丘师范学院

商丘师范学院学报

CHSSCD
影响因子:0.211
ISSN:1672-3600
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