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SE掺杂技术对M10单晶PERC电学性能的影响

Effect of SE Doping Technology on Electrical Properties of M10 Single Crystal PERC

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选择目前市场主流的M10单晶PERC作为研究对象,就PERC生产技术中较为通用的SE掺杂技术进行分析.通过调整SE掺杂技术中的激光划线速度及激光功率参数,对各组别硅片和电池的性能参数进行测试和数据分析.针对激光划线速度分析了参数变化对硅片方块电阻的影响,并对最终电池性能参数进行了验证.通过调整激光功率,验证方块电阻的变化,并通过ECV测试分析不同功率下掺杂浓度随结深的变化趋势,对应效果在电学性能测试中也有体现.

贾艳飞

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山西机电职业技术学院,山西 长治046011

激光掺杂 方块电阻 单晶PERC 激光划线速度 激光功率

山西机电职业技术学院校级项目

KYC-21B01

2022

能源与节能
山西省能源研究会 山西省节能研究会

能源与节能

影响因子：0.561
ISSN：2095-0802
年,卷(期)：2022.(12)
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