传统电子器件的瓶颈:量子隧穿

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中文摘要：传统的电子学器件中,主要是利用经典的电学规律,实现0和1两个状态,无论器件的尺寸多大,基本原理都是如此.但是随着制造工艺的发展,器件尺寸减小到纳米量级,量子力学的规律开始支配体系的演化,量子隧穿现象将导致绝缘层漏电,使得经典的电学规律失效.本文通过广泛的文献调研,梳理了经典电子器件的基本原理和预言芯片制程发展的摩尔定律,再通过简单的量子力学方程,得到量子隧穿的基本图像,以此说明当器件尺度小于一定范围时,传统的电子学器件失效的必然性.

作者：

王子豪

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作者单位：

100085 北京市第二十中学

关键词：

电子器件晶体管摩尔定律薛定谔方程量子隧穿

出版年：

2019

数字化用户

ISSN：

年,卷(期)：2019.25(1)

参考文献量2